Антава

VISHAY

Транзистор VS-GT300YH120N

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
300 A
Корпус
Dual INT-A-Pak
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяVS-GT300YH120N
ПроизводительVISHAY
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyMOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current300 A
КорпусDual INT-A-Pak
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current720 A
ТехнологияTrench
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench

Документация

Документ производителя