Антава

VISHAY

Диод VS-8ETH03-N3

VS-8ETH03-N3
Type of diode
rectifying
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
300 V
Load current
8 A
Semiconductor structure
single diode
Features of semiconductor devices
ultrafast switching
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяVS-8ETH03-N3
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage300 V
Load current8 A
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesultrafast switching
Max. forward impulse current100 A
КорпусTO220AC
Kind of packagetube
Max. forward voltage0.83 V
Leakage current0.2 mA
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Reverse recovery time35ns
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 300V; 8A; Ifsm: 100A; TO220AC; tube; Ir: 200uA

Документация

Документ производителя