Антава

VISHAY

Диод VS-3C10EP12L-M3

Type of diode
Schottky rectifying
Технология
SiC
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
1.2 kV
Load current
10 A
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяVS-3C10EP12L-M3
ПроизводительVISHAY
Type of diodeSchottky rectifying
ТехнологияSiC
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage1.2 kV
Load current10 A
Semiconductor structuresingle diode
КорпусTO247-2
Max. forward voltage1.5 V
Leakage current60 µA
Power dissipation115 W
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA

Документация

Документы пока не предоставлены.