Антава

MICROCHIP

Транзистор VP2110K1-G

VP2110K1-G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-120 mA
Pulsed drain current
-400 mA
Power dissipation
0.36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяVP2110K1-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-120 mA
Pulsed drain current-400 mA
Power dissipation0.36 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -120mA; Idm: -0.4A; 360mW

Документация

Документы пока не предоставлены.