MICROCHIP
Транзистор VP0109N3-G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -90 V
- Drain current
- -250 mA
- Pulsed drain current
- -0.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 1 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 40 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%217,43 ₽
Сумма · с НДС 22%217,43 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 217,43 ₽ | |
| от 10 | 202,43 ₽ | |
| от 25 | 191,19 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | VP0109N3-G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -90 V |
| Drain current | -250 mA |
| Pulsed drain current | -0.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Корпус | TO92 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 8 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhancement |
| Manufacturer standard package | 1000pcs. |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.