Антава

MICROCHIP

Транзистор VP0109N3-G

VP0109N3-G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-90 V
Drain current
-250 mA
Pulsed drain current
-0.8 A
Рассеиваемая мощность
1 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 40 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%217,43 ₽

Сумма · с НДС 22%217,43 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1217,43 ₽
от 10202,43 ₽
от 25191,19 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяVP0109N3-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-90 V
Drain current-250 mA
Pulsed drain current-0.8 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package1000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92

Документация

Документы пока не предоставлены.