Антава

MICROCHIP

Транзистор VP0109N3-G

VP0109N3-G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-90 V
Drain current
-250 mA
Pulsed drain current
-0.8 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяVP0109N3-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-90 V
Drain current-250 mA
Pulsed drain current-0.8 A
Power dissipation1 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package1000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92

Документация

Документы пока не предоставлены.