VISHAY
Диод VMMBZ33C1HD1HG3-08
DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.1 kW
- Max. off-state voltage
- 28 V
- Breakdown voltage
- 33 V
- Max. forward impulse current
- 1.7 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | VMMBZ33C1HD1HG3-08 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.1 kW |
| Max. off-state voltage | 28 V |
| Breakdown voltage | 33 V |
| Max. forward impulse current | 1.7 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DFN1006-2 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 100W; 33V; 1.7A; unidirectional; DFN1006-2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.