VISHAY
Диод VCUT10G1-SD0HG4-08
DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Breakdown voltage
- 12 V
- Max. forward impulse current
- 4 A
- Peak pulse power dissipation
- 72 W
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | VCUT10G1-SD0HG4-08 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS |
| Breakdown voltage | 12 V |
| Max. forward impulse current | 4 A |
| Peak pulse power dissipation | 72 W |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | DFN1006-2 |
| Max. off-state voltage | 10 V |
| Leakage current | 50nA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 12V; 4A; 72W; bidirectional; DFN1006-2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.