VISHAY
Диод VCUT03B1-DD1-G-08
DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Breakdown voltage
- 6.7 V
- Max. forward impulse current
- 3.5 A
- Peak pulse power dissipation
- 40 W
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | VCUT03B1-DD1-G-08 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS |
| Breakdown voltage | 6.7 V |
| Max. forward impulse current | 3.5 A |
| Peak pulse power dissipation | 40 W |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | DFN1006-2 |
| Max. off-state voltage | 3.5 V |
| Leakage current | 0.1 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 6.7V; 3.5A; 40W; bidirectional; DFN1006-2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.