VISHAY
Диод VCAN33A2-HT5-G3-08
DFN1110-3Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS array
- Breakdown voltage
- 38 V
- Max. forward impulse current
- 1.6 A
- Peak pulse power dissipation
- 82 W
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Version
- ESD
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | VCAN33A2-HT5-G3-08 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS array |
| Breakdown voltage | 38 V |
| Max. forward impulse current | 1.6 A |
| Peak pulse power dissipation | 82 W |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Version | ESD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | DFN1110-3 |
| Max. off-state voltage | 33 V |
| Leakage current | 50nA |
| Количество каналов | 2 |
| Ёмкость | 4.1 pF |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS array; 38V; 1.6A; 82W; bidirectional; ESD; DFN1110-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.