VISHAY
Диод VBUS03N1-HD1-G3-08
DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 60 W
- Max. off-state voltage
- 3.3 V
- Breakdown voltage
- 7.8 V
- Max. forward impulse current
- 4 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | VBUS03N1-HD1-G3-08 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 60 W |
| Max. off-state voltage | 3.3 V |
| Breakdown voltage | 7.8 V |
| Max. forward impulse current | 4 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DFN1006-2 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 0.1 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 60W; 7.8V; 4A; unidirectional; DFN1006-2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.