Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор UT6MA3TCR

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
5.5/-5 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяUT6MA3TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current5.5/-5 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation2 W
КорпусDFN2020D-8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance63/76 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4/6.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.5/-5A; Idm: 12A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.