Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор UT6MA2TCR

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
4/-4 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяUT6MA2TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current4/-4 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation2 W
КорпусDFN2020D-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80/103 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.3/6.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-4A; Idm: 12A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.