ROHM SEMICONDUCTOR

UT6KB5TCR

Фото уточняется

Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Корпус: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	UT6KB5TCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Drain-source voltage	40V
Drain current	5A
Корпус	DFN
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	48mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement
Power dissipation	2W
Gate charge	3.5nC

Исходное описание поставщика

40V; 5A; DFN; Channel: enhancement; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.