Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор UT6JA3TCR

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-5 A
Pulsed drain current
-12 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяUT6JA3TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-5 A
Pulsed drain current-12 A
Power dissipation2 W
КорпусDFN2020D-8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.118 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5A; Idm: -12A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.