Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор US6M1TR

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-20 V
Drain current
1.4/-1 A
Pulsed drain current
4...5.6 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяUS6M1TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-20 V
Drain current1.4/-1 A
Pulsed drain current4...5.6 A
Power dissipation1 W
КорпусTUMT6
On-state resistance380/800 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.4/2.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 1.4/-1A; Idm: 4÷5.6A; 1W

Документация

Документы пока не предоставлены.