Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор US6K4TR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
1.5A
Pulsed drain current
3A
Power dissipation
1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяUS6K4TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current1.5A
Pulsed drain current3A
Power dissipation1W
КорпусTUMT6
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.31Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 1W; TUMT6; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.