Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор US6J12TCR

Type of transistor
P-MOSFET x2
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-2 A
Power dissipation
1 W
Корпус
TUMT6
Gate-source voltage
±8 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 990 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%30,74 ₽

Сумма · с НДС 22%13 156,72 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 42830,74 ₽
от 50028,83 ₽
от 100027,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяUS6J12TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Drain-source voltage-12 V
Drain current-2 A
Power dissipation1 W
КорпусTUMT6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.105 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; -12V; -2A; 1W; TUMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.