ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор US6J11TR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -5.2A
Power dissipation: 1W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	US6J11TR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-1.3A
Pulsed drain current	-5.2A
Power dissipation	1W
Корпус	TUMT6
Gate-source voltage	±10V
On-state resistance	1.06Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -1.3A; Idm: -5.2A; 1W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.