ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор UM6K33NTN
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 50 V
- Drain current
- 0.2 A
- Pulsed drain current
- 0.8 A
- Power dissipation
- 0.15 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 842 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%85,48 ₽
Сумма · с НДС 22%85,48 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 85,48 ₽ | |
| от 10 | 56,60 ₽ | |
| от 50 | 40,46 ₽ | |
| от 100 | 34,95 ₽ | |
| от 500 | 25,45 ₽ | |
| от 1000 | 22,60 ₽ | |
| от 1500 | 20,89 ₽ | |
| от 3000 | 18,62 ₽ | |
| от 9000 | 17,67 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | UM6K33NTN |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 50 V |
| Drain current | 0.2 A |
| Pulsed drain current | 0.8 A |
| Power dissipation | 0.15 W |
| Корпус | UMT6 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 7.2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.