ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор UM6K31NTN
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.25 A
- Pulsed drain current
- 1 A
- Power dissipation
- 0.15 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 837 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%106,78 ₽
Сумма · с НДС 22%106,78 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 106,78 ₽ | |
| от 5 | 79,32 ₽ | |
| от 10 | 65,59 ₽ | |
| от 25 | 49,57 ₽ | |
| от 50 | 40,61 ₽ | |
| от 100 | 34,13 ₽ | |
| от 500 | 25,55 ₽ | |
| от 1000 | 23,83 ₽ | |
| от 3000 | 21,93 ₽ | |
| от 24000 | 20,59 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | UM6K31NTN |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.25 A |
| Pulsed drain current | 1 A |
| Power dissipation | 0.15 W |
| Корпус | UMT6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; UMT6
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.