ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор UM6J1NTN

UMT6Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -200 mA
Pulsed drain current: -400 mA
Power dissipation: 0.15 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	UM6J1NTN
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-200 mA
Pulsed drain current	-400 mA
Power dissipation	0.15 W
Корпус	UMT6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.4 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW

Документация

Документы пока не предоставлены.