Антава

ONSEMI

Транзистор UJ4SC075018B7S

Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
cascode
Drain-source voltage
750 V
Drain current
52 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяUJ4SC075018B7S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-JFET / N-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Kind of transistorcascode
Drain-source voltage750 V
Drain current52 A
Pulsed drain current208 A
Power dissipation259 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-25...25 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37.8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 52A

Документация

Документы пока не предоставлены.