Антава

ONSEMI

Транзистор UJ4SC075011B7S

Фото уточняется
Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
cascode
Drain-source voltage
750 V
Drain current
75 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяUJ4SC075011B7S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-JFET / N-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Kind of transistorcascode
Drain-source voltage750 V
Drain current75 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation357 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-25...25 V
On-state resistance24.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge75nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 75A

Документация

Документы пока не предоставлены.