MICROCHIP

Диод UES1101SME3/TR

ДиодИзображение корпуса

Type of diode: rectifying
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 50 V
Load current: 2 A
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.975 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	UES1101SME3/TR
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	50 V
Load current	2 A
Reverse recovery time	25ns
Max. forward voltage	0.975 V
Max. forward impulse current	35 A
Leakage current	2 µA
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 25ns; Ufmax: 975mV; Ifsm: 35A; Ir: 2uA

Документация

Документы пока не предоставлены.