Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM950N10CW RPG

TSM950N10CW RPG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4.1 A
Power dissipation
9 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM950N10CW RPG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4.1 A
Power dissipation9 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.3nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.1A; 9W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.