Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
7 A
Рассеиваемая мощность
4.17 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 290 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%68,75 ₽

Сумма · с НДС 22%68,75 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 168,75 ₽
от 1052,47 ₽
от 5047,76 ₽
от 10046,14 ₽
от 50039,44 ₽
от 100036,55 ₽
от 250035,10 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTSM900N06CW RPG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current7 A
Рассеиваемая мощность4.17 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.3nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223

Документация

Документ производителя