Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM900N06CH X0G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
7 A
Power dissipation
25 W
Корпус
IPAK SL
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM900N06CH X0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current7 A
Power dissipation25 W
КорпусIPAK SL
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge9.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL

Документация

Документы пока не предоставлены.