Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM8N80CZ C0G

TSM8N80CZ C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
4.9A
Power dissipation
250W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM8N80CZ C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current4.9A
Power dissipation250W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge41nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.