TAIWAN SEMICONDUCTOR
Транзистор TSM850N06CX RFG
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 2.3 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.3 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 990 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%74,59 ₽
Сумма · с НДС 22%74,59 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 74,59 ₽ | |
| от 10 | 48,48 ₽ | |
| от 100 | 30,21 ₽ | |
| от 500 | 27,22 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TSM850N06CX RFG |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 2.3 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 85 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 9.5nC |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.