Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM80N950CH C5G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.8 A
Power dissipation
110 W
Корпус
IPAK

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяTSM80N950CH C5G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.8 A
Power dissipation110 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.