TAIWAN SEMICONDUCTOR
Транзистор TSM80N950CH C5G
IPAKИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 3.8 A
- Power dissipation
- 110 W
- Корпус
- IPAK
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | TSM80N950CH C5G |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 3.8 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | IPAK |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.95 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 19.6nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; IPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.