Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM80N1R2CI C0G

TSM80N1R2CI C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.4 A
Power dissipation
25 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM80N1R2CI C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.4 A
Power dissipation25 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 25W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.