Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM70N900CI C0G

TSM70N900CI C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
2.7 A
Рассеиваемая мощность
20 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM70N900CI C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current2.7 A
Рассеиваемая мощность20 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge9.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 20W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.