Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM650N15CR RLG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
4 A
Power dissipation
19 W
Корпус
PDFN56
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM650N15CR RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current4 A
Power dissipation19 W
КорпусPDFN56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 19W; PDFN56

Документация

Документы пока не предоставлены.