Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NE069PW C0G

TSM60NE069PW C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
51 A
Power dissipation
417 W
Корпус
TO247
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM60NE069PW C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current51 A
Power dissipation417 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance69 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 417W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.