Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NE069CIT C0G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
24 A
Рассеиваемая мощность
89 W
Корпус
ITO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM60NE069CIT C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current24 A
Рассеиваемая мощность89 W
КорпусITO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance69 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge89nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 89W; ITO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.