Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NE048PW C0G

TSM60NE048PW C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
61 A
Рассеиваемая мощность
431 W
Корпус
TO247
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM60NE048PW C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current61 A
Рассеиваемая мощность431 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance48 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge114nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61A; 431W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.