Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NB600CP ROG

TSM60NB600CP ROG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4.4 A
Power dissipation
63 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM60NB600CP ROG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4.4 A
Power dissipation63 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 63W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.