Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NB1R4CP ROG

TSM60NB1R4CP ROG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
1.8 A
Power dissipation
28.4 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM60NB1R4CP ROG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current1.8 A
Power dissipation28.4 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.12nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 28.4W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.