Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NB190CI C0G

TSM60NB190CI C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
10.8 A
Power dissipation
33.8 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM60NB190CI C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current10.8 A
Power dissipation33.8 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge31nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.8A; 33.8W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.