Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NB150CF C0G

TSM60NB150CF C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
15 A
Power dissipation
62.5 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM60NB150CF C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current15 A
Power dissipation62.5 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 62.5W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.