TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60NB099CF C0G

TSM60NB099CF C0G

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 24 A
Рассеиваемая мощность: 69 W
Корпус: TO220FP

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TSM60NB099CF C0G
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	24 A
Рассеиваемая мощность	69 W
Корпус	TO220FP
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	99 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	62nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 69W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.