Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60N600CH C5G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4.8 A
Power dissipation
83 W
Корпус
IPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM60N600CH C5G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4.8 A
Power dissipation83 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.