TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM60N1R4CH C5G

IPAKИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 3.3 A
Рассеиваемая мощность: 38 W
Корпус: IPAK

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TSM60N1R4CH C5G
Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	3.3 A
Рассеиваемая мощность	38 W
Корпус	IPAK
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	1.4 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	7.7nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.