Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM4NB65CI C0G

TSM4NB65CI C0G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
2.4 A
Рассеиваемая мощность
25 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM4NB65CI C0G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current2.4 A
Рассеиваемая мощность25 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3.37 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.4A; 25W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.