Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM4NB65CH C5G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
2.4A
Power dissipation
50W
Корпус
IPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM4NB65CH C5G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current2.4A
Power dissipation50W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance3.37Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.4A; 50W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.