Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM3N90CH C5G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
1.6 A
Power dissipation
94 W
Корпус
IPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM3N90CH C5G
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current1.6 A
Power dissipation94 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance5.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.6A; 94W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.