Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM300NB06CR RLG

TSM300NB06CR RLG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
19 W
Корпус
PDFN56

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%174,92 ₽

Сумма · с НДС 22%174,92 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1174,92 ₽
от 5157,80 ₽
от 25139,19 ₽
от 100125,05 ₽
от 1000116,67 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTSM300NB06CR RLG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность19 W
КорпусPDFN56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 19W; PDFN56

Документация

Документы пока не предоставлены.