Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM2NB60CP ROG

TSM2NB60CP ROG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
1.35A
Power dissipation
44W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTSM2NB60CP ROG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current1.35A
Power dissipation44W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance4.4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.4nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.35A; 44W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.