Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Транзистор TSM260P02CX RFG

TSM260P02CX RFG
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.1 A
Power dissipation
1.56 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTSM260P02CX RFG
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.1 A
Power dissipation1.56 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19.5nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.56W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.